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Abies Ventures株式会社

従業員数 6

同社は、次世代半導体材料である二酸化ゲルマニウムを用いた超広帯域バンドギャップパワー半導体の実用化を目指しています。新規次世代パワー半導体r-GeO2のエピウエ

設備梱包機その他
対応可能な材料その他非鉄金属強化ガラスガラスニッケル合金ファインセラミック

概要

同社は、次世代半導体材料である二酸化ゲルマニウムを用いた超広帯域バンドギャップパワー半導体の実用化を目指しています。新規次世代パワー半導体r-GeO2のエピウエハの研究開発、製造、販売を手がけています。高耐圧・低損失、小型・軽量化を実現し、電力変換時のエネルギー損失削減に貢献します。これにより、省エネ社会への貢献や新たなアプリケーション創出を促進しています。

事業内容

新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの研究開発、新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの製造、新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの販売

設備情報

設備名加工方法名メーカー名保有台数
重量物搬送車--1台
特注FA装置--1台

詳細情報

従業員数6名
郵便番号〒107-0061
住所東京都港区北青山二丁目7-26
事業内容新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの研究開発、新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの製造、新規次世代パワー半導体 r-GeO2のエピウエハの販売
公式サイトhttps://abies.vc